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HgCdTe鈍化過程中形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)及其熱處理效應(yīng)

論文類型 技術(shù)與工程 發(fā)表日期 2004-12-01
來源 半導(dǎo)體學(xué)報
作者 孫濤,王慶學(xué),陳文橋,梁晉穗,陳興國,胡曉寧,李言謹(jǐn)
關(guān)鍵詞 HgCdTe CdTe 鈍化 二維點陣
摘要 通過高分辨x射線衍射儀中的二維點陣研究了濺射的CdTe介質(zhì)膜對HgCdTe外延層的影響.發(fā)現(xiàn)在高濺射能量下沉積的鈍化膜由于應(yīng)力的作用,HgCdTe晶片出現(xiàn)彎曲及大量鑲嵌結(jié)構(gòu),而這種鑲嵌結(jié)構(gòu)可通過合理的熱處理工藝消除.

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