HgCdTe鈍化過程中形成的鑲嵌結(jié)構(gòu)及其熱處理效應(yīng)
| 論文類型 | 技術(shù)與工程 | 發(fā)表日期 | 2004-12-01 |
| 來源 | 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) | ||
| 作者 | 孫濤,王慶學(xué),陳文橋,梁晉穗,陳興國,胡曉寧,李言謹(jǐn) | ||
| 關(guān)鍵詞 | HgCdTe CdTe 鈍化 二維點(diǎn)陣 | ||
| 摘要 | 通過高分辨x射線衍射儀中的二維點(diǎn)陣研究了濺射的CdTe介質(zhì)膜對(duì)HgCdTe外延層的影響．發(fā)現(xiàn)在高濺射能量下沉積的鈍化膜由于應(yīng)力的作用，HgCdTe晶片出現(xiàn)彎曲及大量鑲嵌結(jié)構(gòu)，而這種鑲嵌結(jié)構(gòu)可通過合理的熱處理工藝消除． | ||
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